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本发明公开了一种高反射率倒装结构深紫外micro‑LED及其制备方法。本发明刻蚀P型欧姆接触金属,保留下来的P型欧姆接触金属为多个周期性排列的小图形单元构成的二维阵列,形成微栅P型欧姆接触电极,并在微栅P型欧姆接触电极上沉积Al金属,形成反射层覆盖微台面,并且Al金属完全嵌入微栅P型欧姆接触电极的缝隙中,微台面侧壁的倾斜角度在30~90度之间调整;本发明采用微栅P型欧姆接触电极,降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗,Al金属增强了紫外光线的在电极处的反射,以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112542533 B
(45)授权公告日 2023.04.14
(21)申请号 202011380972.X H01L 33/38 (2010.01)
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