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本发明公开了一种基于挠曲电效应的忆阻器及其制备方法，所述忆阻器以两端支撑金属作为电极，悬空且弯曲的硒化铟作为沟道。首先，用电子束光刻技术制备图形化衬底，获得电极矩阵；通过机械剥离专用蓝胶带对硒化铟晶体进行减薄；然后，用聚二甲基硅氧烷将薄片晶体从蓝胶带上取下并对其再次减薄，在光学显微镜下选取样品；接着，借助二维材料定向转移辅助平台将选取的样品转移到电极矩阵上，由此制备所述的忆阻器。本发明所用材料安全环保，成本低廉，结构简单、制备过程易操作，进一步扩展了二维材料的应用。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116193976 A
(43)申请公布日 2023.05.30
(21)申请号 202310219416.1
(22)申请日 2023.03.09
(71)申请人 华东师范大学
地址 200241
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