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2023-06-01 发布于四川
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制造半导体装置的方法.pdf

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本公开提供一种制造半导体装置的方法，包括接收设计布局；对设计布局执行选路以获得选路后布局，选路后布局包括互连结构，互连结构包括第一金属层、第一金属层上的第二金属层、第二金属层上的第三金属层、以及复数功能性通孔；对选路后布局执行光学邻近校正(OPC)操作以获得OPC后布局；以及修改OPC后布局以获得修改后布局。选路后布局的修改包括在第一金属层与第二金层间插入复数第一虚拟通孔，以避免第一金层中相邻的两个金属线之间的水平桥接，以及在第二金属层与第三金属层之间插入复数第二虚拟通孔，以避免对复数第一虚拟通

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112558407 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 202010673245.6 (22)申请日 2020.07.14 (30)优先权数据 62/906,15

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