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本发明属于纳米材料和光学技术领域，具体为一种基于椭偏参数轨迹拓扑特征识别薄膜材料纳米结构的方法。本发明方法包括以下步骤：利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜材料的P光、S光的复反射率比值ρ，进而获得两个椭偏参数ψ与Δ；获得椭偏参数(ψ、Δ)的轨迹曲线；根据所述轨迹曲线的拓扑特征判定薄膜材料纳米结构由颗粒到网状的转变；求得(ψ、Δ)轨迹的切线方位角曲线；根据所述切线方位角曲线的拓扑特征判定薄膜材料纳米结构连续性的转变，从而实现对薄膜材料纳米结构的识别。本发明可用于薄膜材料生长过程中纳米结构的原位监测，对利用
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112557304 B
(45)授权公告日 2021.09.17
(21)申请号 202011316227.9 (56)对比文件
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