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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一基底(100)；位于第一基底表面的第一键合层(200)，第一键合层的材料为包含Si、N和C的介质材料。半导体结构的第一键合层在键合时能够具有较高的键合力。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112567521 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 201880096611.7 (74)专利代理机构 上海盈盛知识产权代理事务

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