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半导体装置及其制造方法.pdfVIP

半导体装置及其制造方法.pdf

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    实施方式提供一种不易形成因树脂填充不足所导致的间隙的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具有：衬底；第1半导体芯片，搭载在所述衬底面上，与所述衬底电连接；多个间隔件，在所述衬底面上，于所述第1半导体芯片的周围隔着空隙相互隔开，且隔着第1非导电性材设置；第2半导体芯片，隔着所述多个间隔件从所述第1半导体芯片相对于所述衬底面朝上方向隔开设置，且与所述衬底电连接；以及突出部，在所述空隙之一部分具有从所述衬底面上朝上方向突出的形状。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563213 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 20201

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