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提供一种垂直半导体器件，其包括衬底、形成在衬底上的单元阵列区域和焊盘区域及栅极图案和相应的绝缘层。栅极图案在与衬底的上表面垂直的垂直方向上堆叠。每个栅极图案在衬底的单元阵列区域和焊盘区域上沿与衬底的上表面平行的第一方向延伸。栅极图案包括分别位于栅极图案的在第一方向上的边缘部分处的焊盘。相应的绝缘层位于在垂直方向上相邻的栅极图案之间。焊盘区域上的栅极图案和绝缘层用作焊盘结构，焊盘结构包括具有台阶形状的第一阶梯结构、具有台阶形状且设置在第一阶梯结构下方的第二阶梯结构、位于第一与第二阶梯结构之间的平坦
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112563285 A
(43)申请公布日 2021.03.26
(21)申请号 202010762163.9
(22)申请日 2020.07.31
(30)优先权数据
10-2019-0
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