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实施方式提供一种可抑制制造成本增加的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1配线层、第2配线层、多个第3配线层、第1绝缘层、以及第1存储器柱。第2配线层与第1配线层电性连接。多个第3配线层在第1方向上的第1配线层与第2配线层之间相互在第1方向上隔开积层，且在与第1方向交叉的第2方向上延伸。第1绝缘层贯通多个第3配线层，第1配线层侧的端部与第1配线层的第1面相接，且在第2方向上延伸。第1存储器柱贯通多个第3配线层，侧面与在第2方向上延伸且朝向与第1及第2方向交叉的第3方向的第1绝缘层的第2
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112530954 A
(43)申请公布日
2021.03.19
(21)申请号 20201
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