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本发明涉及用于温度和气体检测的红外热电堆传感器的制备方法,包括以下步骤:硅片处理;挖槽;生长介质层,先热生长氧化硅层,再生长多晶硅层;离子注入;等离子对多晶硅刻蚀出第一层硅条;生成氧化硅隔离层;等离子对氧化硅刻蚀出第二层硅条;生长氧化硅层;刻蚀出引线孔;金属连接,溅射铝,光刻铝条,接着腐蚀成形,形成多晶硅与铝的热偶对结构;合金化;在惰性气体条件下蒸发一层镍层;光刻刻蚀开口;刻蚀腔体,干法刻蚀释放结构,根据刻蚀开口刻蚀硅衬底,形成悬浮吸收层,释放热电堆结构。本发明涉及一种传感器的制备方法,尤其是用
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112563401 A
(43)申请公布日 2021.03.26
(21)申请号 202011266177.8
(22)申请日 2020.11.13
(71)申请人 无锡宏芯传感科技有限公司
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