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本发明公开了一种光电调控神经突触晶体管及制备方法，包括衬底、背栅电极、铁电薄膜、沟道层和光增透层，光增透层两端分别设置有源电极和漏电极，其中，沟道层的材料包括一层或多层低维材料，并且至少有一层低维材料与源漏电极接触，其中，低维材料为二维材料或一维材料；铁电薄膜具有铁电极化效应，且极化翻转特性受背栅电极调控。本发明通过对光激励和电调控协同作用下的光电调控神经突触晶体管的结构进行重新设计并对材料进行优化，实现具有易调控、低功耗且易于与脉冲神经网络算法相兼容的类脑神经突触器件，基于该器件结构并行存储和
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112542515 A
(43)申请公布日 2021.03.23
(21)申请号 202011465909.6
(22)申请日 2020.12.14
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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