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在此提供一种半导体装置的形成方法。此方法包括在基板上的第一区域及第二区域内沉积半导体堆叠,其中半导体堆叠具有交替排列的第一类型的半导体材料层与第二类型的半导体层。此方法亦包括从第二区域移除半导体堆叠的一部分以形成沟槽,并且通过外延成长工艺将第二类型的半导体材料填充于沟槽中。此方法亦包括图案化位于第一区域内的半导体堆叠以形成纳米结构堆叠,图案化位于第二区域内的第二类型的半导体材料以形成鳍片结构,以及在纳米结构堆叠与鳍片结构两者上形成栅极结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112563138 A
(43)申请公布日
2021.03.26
(21)申请号 20201
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