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一种基于异向晶界的忆阻器.pdfVIP

一种基于异向晶界的忆阻器.pdf

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    本发明提供一种基于异向晶界的忆阻器，包括顶电极、阻变层、底电极。本发明所提供的一种基于异向晶界的忆阻器，将忆阻器中阻变层设计成两种不同的二维电介质材料，以不同角度交替生长的，形成晶界，同时利用两种金属氧化物不同的氧离子迁移势垒，使氧离子迁移形成导电细丝，阻态可进行稳定的缓变，实现对导电细丝通断的调制效果，提高了忆阻器的稳定性和一致性。其制备工艺与传统集成电路芯片技术CMOS工艺兼容，可以通过后端工艺与CMOS工艺集成，制备流程简单，可操作性强。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116193977 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202310263056.5 (22)申请日 2023.03.17 (71)申请人 陕西格芯国微半导体科技有限公司 地

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