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本发明涉及经反射光匹配和表面动力模型优化蚀刻轮廓的方法和装置。公开了优化计算机模型的方法，其通过使用多个模型参数(B)将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与成组的独立输入参数(A)相关联。在一些实施方式中，所述方法可以包括：修改B的一个或多个值，以便相对于A的一组或者多组成组的值减少指示在从模型生成的计算反射光谱和对应的实验反射光谱之间的差的尺度。在一些实施方式中，计算所述尺度可以包括：将所述计算反射光谱和对应的实验反射光谱投射到经降维的子空间上，并且计算投射到所述子空间上的所述反射光谱之间的差。还公
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112526819 A
(43)申请公布日 2021.03.19
(21)申请号 202011262730.0 (51)Int.Cl.
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