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本申请公开了一种主动开关的制作方法和显示面板,所述主动开关的制作方法包括步骤:在衬底基板上依次形成诱导层、缓冲层和非晶硅层;激光照射所述诱导层、缓冲层和非晶硅层,形成多晶硅层;在所述多晶硅层上依次形成栅极绝缘层、栅极和层间绝缘层;在所述层间绝缘层上形成源极和漏极,所述源极和漏极分别贯穿所述层间绝缘层和栅极绝缘层,分别连接到所述多晶硅层的两端。本申请通过在制作多晶硅层的过程中,利用诱导层对非晶硅层的诱导作用和激光照射对非晶硅层结晶的双重效果,加速了非晶硅层的结晶速度,提高了结晶效果,使得在不改变激
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112563196 A
(43)申请公布日 2021.03.26
(21)申请号 202011325568.2
(22)申请日 2020.11.24
(71)申请人 惠科
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