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一种背栅型氧化物半导体器件及其制备方法.pdfVIP

一种背栅型氧化物半导体器件及其制备方法.pdf

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    本发明提出一种背栅氧化物半导体器件及其制备方法，采用自然氧化方法形成源漏电极的自然氧化层，实现了源极、漏极与金属钝化层的电学隔离，不再需要在源漏极与钝化层间设置offset，具备尺寸微缩潜力；同时，由于不再需要在源漏极与钝化层间设置offset，金属钝化层可以覆盖OS沟道的全部上表面，从而可以夺取更多OS材料中的氧，OS沟道中产生大量的氧空位，使得其与源极、漏极接触区域载流子浓度升高，因此具备优异的载流子迁移率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116190455 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202310244548.X H01L 29/423 (2006.01) (22)申请日 2023.03

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