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过渡金属掺杂的锗-锑-碲(GST)存储装置组件和组合物.pdfVIP

过渡金属掺杂的锗-锑-碲(GST)存储装置组件和组合物.pdf

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    描述了使用过渡金属掺杂的GST操作存储单元的方法、系统和装置。如本文所讨论的，包括锗(Ge)、锑(Sb)、碲(Te)以及钇(Y)和钪(Sc)中的至少一种的组合物可以用作存储单元中的存储元件。例如，存储元件可以包括组合物，所述组合物具有：锗，量为组合物的15至35原子百分比(at.％)；锑，量小于或等于组合物的50at.％；碲，量大于或等于组合物的40at.％；以及Y和Sc中的至少一种，量为组合物的0.15at.％至10at.％。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112567543 B (45)授权公告日 2022.06.07 (21)申请号 201980053170.7 (72)发明人 P ·凡蒂尼　M ·贝尔纳斯科尼　

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