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形成半导体装置的方法.pdfVIP

形成半导体装置的方法.pdf

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    本公开实施例提供一种形成半导体装置的方法，包括：形成栅极堆叠于半导体基板上；形成蚀刻停止层于栅极堆叠与半导体基板上；沉积介电衬层于蚀刻停止层上；执行非等向性蚀刻以选择性地移除介电衬层的多个部分，使得蚀刻停止层露出于栅极堆叠与半导体基板的顶面；选择性地沉积硅层在蚀刻停止层露出的表面上；沉积层间介电质(ILD)层于栅极堆叠与半导体基板上；以及执行退火工艺以氧化硅层，从而对栅极堆叠下方的通道区产生压缩应力(compressivestress)。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530808 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010730968.5 (22)申请日 2020.07.27 (30)优先权数据 16/573,89

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