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实施方式提供一种能够提高特性的存储器器件。实施方式的存储器器件包含：积层体(200)，包含衬底(20)的上方的第1、第2及第3导电层(21A、21B、21C)、及积层在导电层(21C)的上方的第4导电层(23)；存储器柱(MP)，在区域(R1)内沿Z方向在积层体内(200)及导电层(21B、21C)内延伸，且包含有在Y方向上与导电层(21B)连接的半导体层(31)；存储单元(MC)，分别设置在导电层(23)与存储器柱(MP)之间；及绝缘体(60)，设置在与第1区域(R1)在Y方向上排列的第2区域
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112530967 A
(43)申请公布日 2021.03.19
(21)申请号 202010732541.9
(22)申请日 2020.07.27
(30)优先权数据
2019-1693
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