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图像传感器及其形成方法.pdfVIP

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    本公开的各种实施例涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括各自设置在半导体衬底内的第一光电探测器及第二光电探测器。隔离结构从所述半导体衬底的前侧表面延伸到所述半导体衬底的后侧表面。所述前侧表面与所述后侧表面相对，且所述隔离结构在侧向上位于所述第一光电探测器与所述第二光电探测器之间。读出晶体管设置在所述半导体衬底的所述前侧表面上。所述读出晶体管的第一侧上覆在所述第一光电探测器上且所述读出晶体管的第二侧上覆在所述第二光电探测器上。所述第一侧与所述第二侧相对且所述读出晶体管在所述隔离结构之上连续地延伸。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563294 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 20201

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