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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有若干相互分立的核心层，且所述核心层顶部表面具有隔离层；在所述基底上形成暴露出隔离层顶部表面的牺牲层；形成所述牺牲层之后，去除所述隔离层；去除所述隔离层之后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层之后，在所述核心层侧壁表面形成掩膜层；形成所述掩膜层之后，去除所述核心层。所述方法能够提高相邻掩膜层间距的均一性，使得形成的半导体结构的性能较好。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563122 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 20191

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