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半导体装置及半导体装置的制造方法.pdfVIP

半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf

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    实施方式提供一种抑制晶体管性能下降的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置包含第1芯片(MC)、第2芯片(CC)、及第1导电体(72)。第1芯片包含第1衬底(20)、设置在第1衬底的第1电路、及连接于第1电路的第1接合金属。第2芯片包含具有P型阱区域及N型阱区域(DN)的第2衬底(60)、设置在第2衬底且包含第1晶体管(HV)的第2电路、以及连接于第2电路及第1接合金属的第2接合金属，且设置在第1芯片上。第1导电体从第2芯片的上方连接于N型阱区域。P型阱区域配置在第1晶体管的栅极

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563287 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 20201

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