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本发明涉及一种铝硅靶材的制作方法,包括提供AlSi铸锭步骤,拔长步骤,拔长步骤采用冷拔作业,冷拔作业中的锻造比,1≤X1<2;一次墩粗步骤,控制锻造比为2≤X2<3,且一次墩粗采用冷镦作业;中间热处理步骤,将产品保持在第一预设温度范围内,保温第一预设时间后,迅速置于冷水中;二次墩粗步骤,控制锻造比为2≤X3<3,二次墩粗也采用冷镦作业;预热处理步骤;压延步骤,对产品进行多道次压延,并且随着压延道次的增加,压下量减少;退火热处理工艺步骤,在退火温度范围内,保温第三时间,进行水冷处理,形成最终靶材产
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112538598 B
(45)授权公告日 2021.12.24
(21)申请号 202011393135.0 (51)Int.Cl.
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