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半导体装置.pdfVIP

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    本发明实施例的半导体装置，包括位于第一装置区中的多个第一全绕式栅极装置，以及位于第二装置区中的多个第二全绕式栅极装置。第一全绕式栅极装置的每一者包括多个通道部件的第一垂直堆叠、第一栅极结构以及多个内侧间隔物结构；第一栅极结构围绕通道部件的第一垂直堆叠并位于其上。第二全绕式栅极装置的每一者包括多个通道部件的第二垂直堆叠以及第二栅极结构，第二栅极结构围绕通道部件的第二垂直堆叠并位于其上。通道部件的第一垂直堆叠的两个相邻的通道部件之间，隔有第一栅极结构的一部分与内侧间隔物结构的至少一者。通道部件的第二

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563266 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 20201

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