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半导体元件及其制备方法.pdfVIP

半导体元件及其制备方法.pdf

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    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、多个位元线接触点、多个电容接触点、多个着陆垫、多个导电栓塞及多个位元线。该基底具有多个第一区以及多个第二区；多个位元线接触点以及多个电容接触点设置在多个第一区与多个第二区上；一着陆垫包括一电容栓塞的一突出部以及一第一间隙子，该第一间隙子设置在该突出部的一侧壁上；一导电栓塞设置在该着陆垫上；多个位元线，设置在该多个位元线接触点上；一电容结构设置在该导电栓塞上。该导电栓塞包括多个纳米线、一导电衬垫以及一导体，该导电衬垫设置在多个纳米线上，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563273 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 20201

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