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2023-06-01 发布于四川
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配置用于栅极电介质监控的半导体器件.pdf

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本公开涉及配置用于栅极电介质监控的半导体器件。公开的技术通常涉及半导体器件，且更具体地涉及这样的半导体器件，包括：MOS晶体管，且被配置为用于加速和监视MOS晶体管的栅极电介质的退化。在一方面，一种配置具有栅极介电监视能力的半导体器件包括：MOS晶体管，包括在半导体衬底中形成的源极、漏极、栅极和背栅区。半导体器件另外包括：BJT，包括在半导体基板中形成的集电极，基极和发射极，其中MOS晶体管的背栅区用作BJT的基极，并且独立地可访问以激活BJT。MOS晶体管和BJT被配置为通过独立于MOS晶体管

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563263 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 202010940339.5 H01L 23/544 (2006.01)

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