半导体装置的形成方法.pdfVIP

半导体装置的形成方法.pdf

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本公开提供了形成半导体装置的方法。根据本公开的一种方法包含：在工件上形成包括第一半导体材料的虚置栅极堆叠；利用第一制程沉积第一介电层于虚置栅极堆叠上；用不同于第一半导体材料的第二半导体材料布植工件；在布植后，退火虚置栅极堆叠；以及用金属栅极堆叠取代虚置栅极堆叠。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563201 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 202010984858.1 (22)申请日 2020.09.18 (30)优先权数据

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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