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本发明公开了一种Bi2MoO6/Ag2CrO4异质结和制备方法及其作为光催化材料的应用,所述制备方法包括以下步骤:通过水热反应制备Bi2MoO6;将可溶性银盐和可溶性铬盐加入Bi2MoO6的悬浊液中,通过原位沉淀法使Ag2CrO4生长在片状Bi2MoO6的表面形成Bi2MoO6/Ag2CrO4异质结。异质结的形成增大了材料的比表面积和孔隙率,电荷载体可以跨越异质结构的界面转移以抑制重组,进而大大促进了单一Bi2MoO6半导体的光催化性能。本发明制备工艺简单,成本低廉,重复性强,在紫外光的照射下,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112547063 A
(43)申请公布日 2021.03.26
(21)申请号 202110025193.6 C02F 101/38 (2006.0
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