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将偏角0.5～5度的C面蓝宝石薄膜(1t)转印至由800K下的热膨胀率比硅大、比C面蓝宝石小的陶瓷材料构成的操作基板上，从而制作GaN外延生长用基板(11)；进行GaN外延生长用基板(11)的高温氮化处理而将C面蓝宝石薄膜(1t)表面用由AlN构成的表面处理层(11a)被覆；使GaN在该表面处理层(11a)上外延生长，制作表面由N极性面构成的GaN膜负载体；对GaN膜(13)进行离子注入；将经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支撑基板(12)贴合以接合；在GaN膜(13)中的离子注入区域
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112585305 B
(45)授权公告日 2023.03.28
(21)申请号 201980052719.0 (51)Int.Cl.
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