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公开了一种沟槽型MOSFET以及一种制造沟槽型MOSFET方法。所述方法包括：在半导体基底中形成从上表面延伸至其内部的沟槽；在所述沟槽中形成第一绝缘层和屏蔽导体，所述第一绝缘层覆盖所述沟槽的侧壁和底部，且将所述屏蔽导体和所述半导体基底隔开；在所述沟槽内形成位于所述屏蔽导体两侧的开口，所述开口与所述屏蔽导体之间通过所述第一绝缘层隔开，所述开口从所述半导体基底的上表面延伸至所述沟槽内部；在所述开口中形成栅介质层和栅极导体，所述栅介质层至少覆盖所述开口的侧壁，以及形成体区、源区以及漏极电极。本发明的方
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582260 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202011401573.7
(22)申请日 2020.12.04
(71)申请人 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
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