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一种根据本公开的集成电路(IC)装置,包括:一基板,包含第一表面以及与第一表面相对的第二表面;一重布层,被设置于第一表面上且包括导电特征;一钝化结构,被设置于重布层上;一金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器,被嵌入于钝化结构中;一虚拟MIM特征,被嵌入于钝化结构中且包括一开口;一顶部接触垫,位于钝化结构上;一接触通孔,在导电特征与顶部接触垫之间延伸;以及一贯穿通孔,延伸穿过钝化结构及基板。虚拟MIM特征与MIM电容器分隔,且贯穿通孔延伸穿过虚拟MIM特征的上述开口,且不接触虚拟MIM特征。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582428 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202011031328.1
(22)申请日 2020.09.27
(30)优先权数据
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