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    本发明是一种CZ用坩埚，用于通过CZ法培育单晶硅锭，所述CZ用坩埚包含：有底筒状的石墨坩埚、以及配置于该石墨坩埚的内部的有底筒状的石英玻璃坩埚，在所述CZ用坩埚的中心轴上的所述石墨坩埚的底部的内表面与所述石英玻璃坩埚的底部的外表面之间具有间隙，所述间隙使得所述石墨坩埚的底部的内表面与所述石英玻璃坩埚的底部的外表面成为非接触。由此，提供一种CZ用坩埚，当将用于通过CZ法培育单晶硅锭的有底筒状的石英玻璃坩埚配置于有底筒状的石墨坩埚的内部时，石英玻璃坩埚能够稳定地自立。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116194413 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202180059406.5 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限

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