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2023-06-02 发布于四川
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存储器节点接触窗的制作方法.pdf

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本发明涉及一种存储器节点接触窗的制作方法。所述方法包括：在衬底上形成多个位元线结构；依次形成第一绝缘材料层、第二绝缘材料层、第三绝缘材料层、第一硬掩膜材料层、第四绝缘材料层、第一有机掩膜材料层和第二硬掩膜材料层；形成掩膜层；利用条状掩膜图案为掩膜板对第一有机掩膜材料层和第二硬掩膜材料层进行刻蚀；以第一硬掩膜材料层为阻挡层去除掩膜层，并对第四绝缘材料层进行刻蚀；去除第二硬掩膜材料层，并对第一硬掩膜材料层和第三绝缘材料层进行刻蚀；对第二绝缘材料层和第一绝缘材料层进行刻蚀；形成导电层，并通过构图工艺形

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112582261 B (45)授权公告日 2022.03.08 (21)申请号 201910924038.0 (56)对比文件 (22)申请日 2019.09.27

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