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具有半导体接触层的光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法.pdfVIP

具有半导体接触层的光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法.pdf

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    一种光电子半导体器件(10)，包括：第一导电类型的第一半导体层(120)；第二导电类型的第二半导体层(130)，其中第一半导体层和第二半导体层(120，130)的半导体材料分别是化合物半导体材料，其包含第一、第二和第三组成元素；和用于电接触第二半导体层(130)的第二接触区域(135)。第二接触区域(135)具有第二金属接触层(134)以及在金属接触层(134)和第二半导体层(130)之间的半导体接触层(132)。半导体接触层(132)的半导体材料包含第一、第二和第三组成元素，其中第一和第二组成

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112585769 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 201980055067.6 亚历山大 ·普福伊费尔　 (22)申请日 201

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