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    本揭露实施例是有关于一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括储存器件，其中储存器件包括存储元件、第一介电层及光屏蔽元件。存储元件包括储存节点及储存晶体管栅极，其中储存晶体管栅极位于储存节点之上。第一介电层位于储存晶体管栅极的一部分之上。光屏蔽元件位于第一介电层上且包括半导体层。半导体层与存储元件电隔离，其中在平面上沿着存储元件与光屏蔽元件的堆叠方向的垂直投影中，光屏蔽元件与储存晶体管栅极的周界的至少一部分交叠，且堆叠方向垂直于所述平面。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112582435 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202010930452.5 (22)申请日 2020.09.07 (30)优先权数据 62/906,75

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