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本发明提供了一种存储器的制作方法。该制作方法包括以下步骤:提供衬底,衬底上具有双堆叠结构,双堆叠结构中具有贯穿至衬底的多个沟道孔阵列,各沟道孔阵列包括多排沿第一方向分布的沟道孔;位于沟道孔阵列中部的任意一排沟道孔作为待刻蚀沟道孔列,减薄待刻蚀沟道孔列中间隔各沟道孔的双堆叠结构,形成顶部选择栅开口;在沟道孔中形成沟道结构,并在顶部选择栅开口中形成顶部选择栅切线。通过将形成顶部选择栅切线的步骤移到形成贯穿双堆叠结构的沟道孔的之后,避免了形成顶部选择栅切线的工艺对形成沟道孔的工艺的影响,从而避免了沟道
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112614845 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011483092.5
(22)申请日 2020.12.15
(71)申请人 长江
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