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本公开提供了一种相变存储器的制造方法及相变存储器，所述方法包括：提供衬底；在衬底器件区域的第一介质层中形成有由下至上依次层叠设置的第一互连线、第一位线连接部、第一导电线以及存储单元；在器件区域中还形成有第二互连线和第三互连线；形成贯穿第一介质层且延伸至第二互连线的第一凹槽，并形成贯穿第一介质层且延伸至第三互连线的第二凹槽；第一凹槽的开口尺寸小于第二凹槽的开口尺寸；向第一凹槽和第二凹槽中沉积第一导电材料，以在第一凹槽中形成第一字线连接部，在第二凹槽中形成第二字线连接部，且基于第二凹槽的形貌形成第三
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112614809 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011497011.7 H01L 23/538 (2006.01)
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