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一种吸气剂图形化的掩膜方式,所述该方式包括如下具体步骤:步骤一、材料准备;步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片;步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片,放置硅片时,将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内,使硅片表面凸起与掩膜片表面凹槽对应,利用掩膜片表面凹槽,不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系,而且能使掩膜片与硅片更加贴合;步骤四、平铺放置薄膜保护层;步骤五、放置铝制压块;步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁;步骤七、放置铝制压块盖板。该掩膜方式,操作简单,利用掩膜片表面的凹槽,配合铝制压块以及强力磁
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112614779 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011498950.3
(22)申请日 2020.12.17
(71)申请人 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司
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