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本发明涉及一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法，包括成型导体/半导体层、沉积电介质层，在电介质层上形成第一光刻胶层、第二光刻胶层，第一光刻胶层的光敏性高于第二光刻胶层，蚀刻形成栅极沟道开口，调整第二光刻胶层的厚度、开口形状，沉积金属导体，剥离第一光刻胶层、第二光刻胶层以及位于第二光刻胶层上的金属导体。一种器件，其包括由T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法形成的栅极结构。本发明方法形成的栅极导体在电介质上悬垂/延伸，实现了最终栅极导体相对于电介质开口的自对准，降低了栅极电阻（Rg）的同
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112614777 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011500532.3
(22)申请日 2020.12.18
(71)申请人 江苏
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