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等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法及控制装置.pdfVIP

等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法及控制装置.pdf

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    本发明涉及一种等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法及控制装置。该方法包括：将薄膜沉积过程中的射频信号设置为间断性射频信号，在所述脉冲射频信号的关断期间通入吹扫气体。通过将射频信号设置为间断性射频信号，并且在射频信号的关断期间通入吹扫气体，通过吹扫气体将射频信号打开过程中反应生成的副产物排除，降低了等离子体沉积薄膜中杂质的含量，提高了薄膜的质量及其相关性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112626501 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 20191

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