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本发明的分析用衬底具备:基材(10),至少第一面(10a)包含介电体或半导体;及金属膜(20),具有设置在基材(10)的第一面(10a)上的凸部(21)及凸部(22);凸部(21)的顶部(21a)的高度是金属膜(20)的表面高度分布中与基材(10)的距离最大的峰的高度,凸部(22)的顶部(22a)的高度是金属膜(20)的表面高度分布中与基材(10)的距离第二大的峰的高度,凸部(21)及凸部(22)的除槽区域(H3)以外的部分的宽度的平均值为200nm以下,所述槽区域(H3)是与基材(10)的距离
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112639449 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 201980057800.8 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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