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一种新型高速高隔离度pHEMT微波开关芯片.pdfVIP

一种新型高速高隔离度pHEMT微波开关芯片.pdf

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    本发明公开了一种新型高速高隔离度pHEMT微波开关芯片，包括衬底层，衬底层上设置有半导体层，半导体层由层叠的若干半导体子层构成，半导体层顶部设置源极、漏极和栅极，所述栅极位于源极和漏极之间，源极与栅极之间、漏极与栅极之间分别存在空隙，形成两个栅极侧壁区；在至少一个栅极侧壁区设置辅助栅极，辅助栅极通过空气桥或埋入式辅助栅极实现。本发明的开关芯片开关时不需要经过栅极、漏极的LC网络充放电过程抵消表面电荷和界面陷阱静电势对沟道电流的阻碍，具有速度快、隔离度高、寿命长、宽带特性好、低功耗、高效率等优点。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112614881 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202011477475.1 H01L 21/28 (2006.01)

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