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本发明涉及一种在GaNHEMT器件中形成多功能p‑GaN电极的方法，包括形成外延结构，使二维电子气完全耗尽，对p‑GaN层进行蚀刻，保留用于形成栅极的p‑GaN区域，使二维电子气重新出现，沉积钝化层，在注入电极的位置对钝化层进行蚀刻至势垒层形成空穴，在空穴位置的势垒层上生长附加势垒层、p‑GaN层，并保持二维电子气不耗尽，形成栅极，形成源极、漏极，在p‑GaN层上注入电极，并使注入电极自动连接到漏极，在p‑GaN区域处形成电介质层。一种器件，由本发明方法形成。本发明可以适用于形成常开型GaN基
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112614778 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011500550.1
(22)申请日 2020.12.18
(71)申请人 江苏
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