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2023-06-03 发布于四川
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准备晶片（S1），对所准备的晶片，从晶片的中心开始将圆周360度分割为既定个数的角度，并测量每个角度半径方向的各个位置的厚度形状（S2、S3）。将由测量机所得的每个角度的厚度形状以6次以上的多项式进行近似，进行晶片厚度相对于半径方向的位置的函数化（S4）。将由测量机输出的厚度形状与由上述函数输出的厚度形状进行比较，确认在晶片全体为既定的误差以内（S5）。在此确认后，将每个上述角度的函数的信息作为表示晶片形状的数据添加至晶片提供给使用者（S6）。借此，提供一种能够降低晶片的形状数据的容量，且能够取

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112640072 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 201980057835.1 (74)专利代理机构北京德崇智捷知识产权代理

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