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本发明提供了一种多层外延超结结构VDMOS的结构及其方法，包括漏极，所述漏极的上方设置有衬底，所述衬底的上方设置有n型漂移区，所述n型漂移区的内部设置有p型块，所述p型块的上方设置有p型阱，所述p型阱的内部设置有n+型源区和p+型短路区，所述p型阱的顶部设置有栅极氧化层，通过在n型漂移区设置垂直于条形多晶层方向的横向p型块，将主要承压层p型块区域与p型阱的延伸方向垂直，使p型块长度不再成为限制单胞大小的因素，单胞大小完全由多晶层与多晶层间隔长度决定，同时将原流程第一次刻蚀、第二次刻蚀、第三次刻蚀
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112614895 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202110033982.4
(22)申请日 2021.01.12
(71)申请人 深圳
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