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平面型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法.pdfVIP

平面型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法.pdf

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    本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种平面型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法。本发明相对于传统的平面型碳化硅MOSFET，去掉了其N型碳化硅衬底，在器件源区一侧引入了第一N型碳化硅缓冲层，在器件漏区一侧引入了第二N型碳化硅缓冲层，并且在器件漏区一侧引入了结型肖特基势垒二极管结构。所述器件结构可以使平面型碳化硅MOSFET在获得大的正反向对称耐压的同时，具有较小的正向导通压降。此外，为了进一步提升器件耐压以及导通特性，给出了几种相应的衍生结构。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112687744 B (45)授权公告日 2022.05.24 (21)申请号 202011593443.8 H01L 29/47 (2006.01)

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