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本发明公开了一种准直固态发光芯片或芯片阵列光源的方法包括以下步骤:选取介质材料用于制作基底与微结构;设计微结构,所述微结构满足仅改变结构尺寸即可覆盖0‑2π相位调制深度;读取固态发光芯片或芯片阵列光源的相位分布;根据光源相位分布确定不同调制深度的微结构的摆放位置;加工全介质超材料相位调控元件,所述相位调控元件包括基底与微结构;将加工好的相位调控元件与光源进行封装。本发明的方法可实现提高收光效率,降低元件尺寸,且可将相位调控元件与光源集成一起。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112684657 B
(45)授权公告日 2022.02.01
(21)申请号 202011553964.0 (56)对比文件
(22)申请日 2020.12.24
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