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可变电阻式存储器及其制造方法.pdfVIP

可变电阻式存储器及其制造方法.pdf

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    本发明提供一种可变电阻式存储器及其制造方法。该可变电阻式存储器，包括：一基板；一第一电极，形成于该基板上；一第二电极，形成于该基板上，位于该第一电极的一侧；一第一金属氧化层，形成于该第二电极的侧壁；一第一控制层，形成于该第一电极与该第一金属氧化层之间；以及一第二控制层，形成于该第一控制层上，位于该第一电极与该第一金属氧化层之间。本发明可简易及快速地达到多阶转换的效果，有效减少对外通孔的设置，降低单元与单元之间的工艺变异性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687717 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 20191

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