鳍式场效应晶体管的单扩散区切断结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-04 发布于四川
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鳍式场效应晶体管的单扩散区切断结构及其形成方法.pdf

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本发明涉及鳍式场效应晶体管的单扩散区切断结构的形成方法，涉及半导体集成电路制造技术，通过在形成单扩散区沟槽之后及采用流体化学气相沉积工艺生长形成第三层氧化层之前在裸露的衬垫层、第一氧化层、氮化层、第二氧化层及鳍体表面形成一层无定型硅层，而防止后续流体化学气相沉积工艺的退火工艺阻碍氧化扩散而消耗单扩散区沟槽两侧的鳍体，而不会导致消耗单扩散区沟槽的尺寸过大，而使后续形成的伪栅极结构能全部覆盖单扩散区沟槽，而利于形成高质量的鳍式晶体管的源漏区的外延层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687622 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011561970.0 (22)申请日 2020.12.25 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

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