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本发明提供一种晶圆监控结构，用于晶圆制造过程中的监控，所述晶圆监控结构包括N个MOS管，其中N≥17，N为奇数；N个所述MOS管从左到右依次连接；N个所述MOS管的源极并联连接形成第一源极，N个所述MOS管的漏极并联连接形成第一漏极，N个所述MOS管的栅极并联连接形成第一栅极，位于第(N+1)/2位的所述MOS管的衬底单独引出形成第一衬底，其余所述MOS管的衬底并联形成第二衬底。该晶圆监控结构兼容了目前传统的单MOS管器件的测试监控方法，且增加了测试结果的准确性，更能表征晶圆的芯片内的同类器件的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112687663 B
(45)授权公告日 2023.03.14
(21)申请号 202011487055.1 H01L 21/66 (2006.01)
(22)申请日 2020.12
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