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本公开提供了一种氧化镓晶体生长装置及生长方法,氧化镓晶体生长装置包括坩埚、坩埚托、炉体、温控装置和盖板。坩埚具有第一端和第二端,坩埚的第一端设置有用于盛装籽晶的籽晶腔,且籽晶腔封闭,坩埚的第二端通过盖板密封,盖板上开设有溢气孔;炉体设置有炉腔,坩埚位于炉腔内,且坩埚支撑于坩埚托上;炉腔由下至上依次设置有第一温区、第二温区和第三温区,温控装置设置于第一温区、第二温区和第三温区,用于加热第一温区、第二温区和第三温区并控制其温度;坩埚的籽晶腔设置于第一温区,坩埚的第二端设置于第三温区。氧化镓晶体生长装
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112680780 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011443881.6
(22)申请日 2020.12.08
(71)申请人 广东先导先进材料股份有限公司
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