氧化镓晶体生长装置及生长方法.pdfVIP

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2023-06-04 发布于四川
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氧化镓晶体生长装置及生长方法.pdf

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本公开提供了一种氧化镓晶体生长装置及生长方法，氧化镓晶体生长装置包括坩埚、坩埚托、炉体、温控装置和盖板。坩埚具有第一端和第二端，坩埚的第一端设置有用于盛装籽晶的籽晶腔，且籽晶腔封闭，坩埚的第二端通过盖板密封，盖板上开设有溢气孔；炉体设置有炉腔，坩埚位于炉腔内，且坩埚支撑于坩埚托上；炉腔由下至上依次设置有第一温区、第二温区和第三温区，温控装置设置于第一温区、第二温区和第三温区，用于加热第一温区、第二温区和第三温区并控制其温度；坩埚的籽晶腔设置于第一温区，坩埚的第二端设置于第三温区。氧化镓晶体生长装

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112680780 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011443881.6 (22)申请日 2020.12.08 (71)申请人广东先导先进材料股份有限公司